低至 ￥0.92629
单相BJT晶体管 - 预偏置 / MMUN2112LT1G
- onsemi(安森美)
- 单相BJT晶体管 - 预偏置
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV
- 1
- 60
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2001
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -55°C
- 附加功能 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- HTS代码 8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流 -50V
- 最大功率耗散 246mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 -100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 MMUN21**L
- 引脚数量 3
- 极性 PNP
- 元素配置 Single
- 功率耗散 246mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 无卤素 无卤素
- 晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO) 50V
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流 500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 250mV @ 300μA, 10mA
- 最大击穿电压 50V
- 电阻基(R1) 22 k Ω
- 连续集电极电流 100mA
- 电阻-发射极基极(R2) 22 k Ω
- 高度 1.01mm
- 长度 3.04mm
- 宽度 1.4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价