低至 ￥1.49957
单相BJT晶体管 - 预偏置 / BCR133E6327HTSA1
- Infineon Technologies
- 单相BJT晶体管 - 预偏置
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 工厂交货时间 2 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数 3
- 50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV
- 1
- 30
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2011
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -65°C
- 附加功能 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 电压 - 额定直流 50V
- 最大功率耗散 200mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 100mA
- 基本部件号 BCR133
- 极性 NPN
- 元素配置 Single
- 晶体管应用 SWITCHING
- 无卤素 不含卤素
- 晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO) 300mV
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
- 最大集极截止电流 100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 300mV @ 500μA, 10mA
- 转换频率 130MHz
- 最大击穿电压 50V
- 频率转换 130MHz
- 发射极基极电压 (VEBO) 10V
- 电阻基(R1) 10 k Ω
- 电阻-发射极基极(R2) 10 k Ω
- 高度 900μm
- 长度 2.9mm
- 宽度 1.3mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价