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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / BCR185SH6327XTSA1
- Infineon Technologies
- BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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产品参数
- 工厂交货时间 26 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数 6
- 50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV
- 70
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2007
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -65°C
- 最大功率耗散 250mW
- 极性 PNP
- 元素配置 Dual
- 功率耗散 250mW
- 无卤素 无卤素
- 晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO) 300mV
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 300mV @ 500μA, 10mA
- 最大击穿电压 50V
- 频率转换 200MHz
- 发射极基极电压 (VEBO) 50V
- 电阻基(R1) 10k Ω
- 连续集电极电流 100mA
- 电阻-发射极基极(R2) 47k Ω
- 高度 800μm
- 长度 2mm
- 宽度 1.25mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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