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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / BCR116SH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • BJT 晶体管阵列 - 预偏置
  • 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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售后无忧
48小时发货

产品参数

  • 工厂交货时间 26 Weeks
  • 触点镀层 Tin
  • 底架 表面贴装
  • 安装类型 表面贴装
  • 包装/外壳 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • 引脚数 6
  • 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV
  • 2
  • 70
  • 包装 Tape & Reel (TR)
  • 已出版 2011
  • JESD-609代码 e3
  • 零件状态 不用于新设计
  • 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
  • 终止次数 6
  • ECCN 代码 EAR99
  • 最高工作温度 150°C
  • 最小工作温度 -65°C
  • 附加功能 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
  • 最大功率耗散 250mW
  • 终端形式 鸥翼
  • 基本部件号 BCR116S
  • 极性 NPN
  • 元素配置 Dual
  • 晶体管应用 SWITCHING
  • 无卤素 无卤素
  • 晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 集电极发射器电压(VCEO) 300mV
  • 最大集电极电流 100mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) 300mV @ 500μA, 10mA
  • 转换频率 150MHz
  • 频率转换 150MHz
  • 电阻基(R1) 4.7k Ω
  • 电阻-发射极基极(R2) 47k Ω
  • 高度 800μm
  • 长度 2mm
  • 宽度 1.25mm
  • 辐射硬化
  • RoHS状态 ROHS3 Compliant
  • 无铅 无铅
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