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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / NSBC114EDXV6T1G
- onsemi(安森美)
- BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- SOT-563, SOT-666
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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售后无忧
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- 工厂交货时间 17 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 SOT-563, SOT-666
- 表面安装 YES
- 引脚数 6
- 50V
- 2
- 35
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2006
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -55°C
- 附加功能 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 电压 - 额定直流 50V
- 最大功率耗散 500mW
- 终端形式 FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 NSBC1*
- 引脚数量 6
- 极性 NPN
- 元素配置 Dual
- 功率耗散 357mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO) 50V
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流 500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 250mV @ 300μA, 10mA
- 最大击穿电压 50V
- 电阻基(R1) 10k Ω
- 连续集电极电流 100mA
- 电阻-发射极基极(R2) 10k Ω
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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