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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / PUMH10,115
- Nexperia USA Inc.
- BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
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产品参数
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装 YES
- 引脚数 6
- 晶体管元件材料 SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
- 2
- 100
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2011
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- HTS代码 8541.21.00.95
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 P*MH10
- 引脚数量 6
- 资历状况 不合格
- 极性 NPN
- 配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- 功率耗散 200mW
- 功率 - 最大 300mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO) 50V
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 100 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流 1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 100mV @ 250μA, 5mA
- 集电极基极电压(VCBO) 50V
- 发射极基极电压 (VEBO) 5V
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 电阻基(R1) 2.2k Ω
- 电阻-发射极基极(R2) 47k Ω
- 环境温度范围高 150°C
- 高度 1.1mm
- 达到SVHC 无SVHC
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
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