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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / MUN5312DW1T1G
- onsemi(安森美)
- BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 8 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装 YES
- 引脚数 6
- 50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV
- 2
- 60
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2006
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -55°C
- 附加功能 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- 电压 - 额定直流 50V
- 最大功率耗散 187mW
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 MUN53**DW1
- 引脚数量 6
- 极性 NPN
- 通道数量 2
- 元素配置 Dual
- 功率 - 最大 250mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO) 50V
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流 500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 250mV @ 300μA, 10mA
- 最大击穿电压 50V
- 电阻基(R1) 22k Ω
- 连续集电极电流 100mA
- 电阻-发射极基极(R2) 22k Ω
- 高度 900μm
- 长度 2mm
- 宽度 1.25mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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