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单MOSFET晶体管 / CSD25303W1015
- Texas Instruments
- 单MOSFET晶体管
- 6-UFBGA, DSBGA
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
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产品参数
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-UFBGA, DSBGA
- 引脚数 6
- 晶体管元件材料 SILICON
- 3A Tc
- 1.8V 4.5V
- 1
- 1.5W Ta
- 11.3 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 NexFET™
- 无铅代码 no
- 零件状态 Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 端子位置 BOTTOM
- 终端形式 BALL
- 基本部件号 CSD25303
- 引脚数量 6
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 1.5W
- 接通延迟时间 3.9 ns
- 场效应管类型 P-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 58m Ω @ 1.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 435pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 4.3nC @ 4.5V
- 上升时间 8.6ns
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- Vgs（最大值） ±8V
- 下降时间（典型值） 7.8 ns
- 连续放电电流(ID) 3A
- 栅极至源极电压(Vgs) 8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 3A
- 漏极-源极导通最大电阻 0.092Ohm
- 漏源击穿电压 -20V
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 含铅
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