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单MOSFET晶体管 / FDB24AN06LA0
- onsemi(安森美)
- 单MOSFET晶体管
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
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产品参数
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商器件包装 TO-263AB
- 7.8A Ta 40A Tc
- 5V 10V
- 75W Tc
- 28 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 PowerTrench®
- 已出版 2004
- 零件状态 Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 最高工作温度 175°C
- 最小工作温度 -55°C
- 电压 - 额定直流 60V
- 额定电流 36A
- 元素配置 Single
- 功率耗散 75W
- 场效应管类型 N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs 19mOhm @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 1850pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 21nC @ 5V
- 上升时间 101ns
- 漏源电压 (Vdss) 60V
- Vgs（最大值） ±20V
- 下降时间（典型值） 49 ns
- 连续放电电流(ID) 40A
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 漏源击穿电压 60V
- 输入电容 1.85nF
- 漏源电阻 20mOhm
- 最大rds 19 mΩ
- RoHS状态 符合RoHS标准
- 无铅 无铅
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