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单MOSFET晶体管 / IRLR7843TRPBF
- Infineon Technologies
- 单MOSFET晶体管
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
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产品参数
- 工厂交货时间 12 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数 3
- 晶体管元件材料 SILICON
- 161A Tc
- 4.5V 10V
- 1
- 140W Tc
- 34 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 HEXFET®
- 已出版 2008
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 2
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 3.3MOhm
- 电压 - 额定直流 30V
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 161A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- JESD-30代码 R-PSSO-G2
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 140W
- 箱体转运 DRAIN
- 接通延迟时间 25 ns
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ω @ 15A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 4380pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 50nC @ 4.5V
- 上升时间 42ns
- Vgs（最大值） ±20V
- 下降时间（典型值） 19 ns
- 连续放电电流(ID) 161A
- 阈值电压 2.3V
- JEDEC-95代码 TO-252AA
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 漏源击穿电压 30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM) 620A
- 恢复时间 59 ns
- 栅源电压 2.3 V
- 高度 2.2606mm
- 长度 6.7056mm
- 宽度 6.22mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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