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单MOSFET晶体管 / STW9NK90Z
- TIH Microelectronics(方寸微)
- 单MOSFET晶体管
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
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产品参数
- 工厂交货时间 12 Weeks
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳 TO-247-3
- 安装类型 通孔
- 底架 通孔
- 引脚数 3
- 质量 9.071847g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 55 ns
- 160W Tc
- 1
- 10V
- 8A Tc
- 系列 SuperMESH™
- 包装 Tube
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 1.3Ohm
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 附加功能 雪崩 额定
- 电压 - 额定直流 900V
- 额定电流 8A
- 基本部件号 STW9N
- 引脚数量 3
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 160W
- 接通延迟时间 22 ns
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3 Ω @ 3.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 2115pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 72nC @ 10V
- 上升时间 13ns
- Vgs（最大值） ±30V
- 下降时间（典型值） 28 ns
- 连续放电电流(ID) 8A
- JEDEC-95代码 TO-247AC
- 栅极至源极电压(Vgs) 30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 8A
- 漏源击穿电压 900V
- 雪崩能量等级（Eas） 220 mJ
- 宽度 5.15mm
- 长度 15.75mm
- 高度 20.15mm
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 辐射硬化 无
- 无铅 无铅
问答
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