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单MOSFET晶体管 / NTA4153NT1G
- onsemi(安森美)
- 单MOSFET晶体管
- SC-75, SOT-416
- MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间 5 Weeks
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 SC-75, SOT-416
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 晶体管元件材料 SILICON
- 915mA Ta
- 1.5V 4.5V
- 1
- 300mW Tj
- 25 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2005
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 127mOhm
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流 20V
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 915mA
- 引脚数量 3
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 300mW
- 接通延迟时间 3.7 ns
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 230m Ω @ 600mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 110pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 1.82nC @ 4.5V
- 上升时间 4.4ns
- Vgs（最大值） ±6V
- 下降时间（典型值） 4.4 ns
- 连续放电电流(ID) 915mA
- 阈值电压 760mV
- 栅极至源极电压(Vgs) 6V
- 漏源击穿电压 20V
- 栅源电压 760 mV
- 高度 800μm
- 长度 800μm
- 宽度 1.6mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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