低至 ￥1.49873
单MOSFET晶体管 / 2N7002LT1G
- onsemi(安森美)
- 单MOSFET晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间 10 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 晶体管元件材料 SILICON
- 115mA Tc
- 5V 10V
- 1
- 225mW Ta
- 40 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Cut Tape (CT)
- 已出版 2007
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 7.5Ohm
- 电压 - 额定直流 60V
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 115mA
- 引脚数量 3
- 通道数量 1
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 225mW
- 接通延迟时间 20 ns
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
- 无卤素 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 25V
- Vgs（最大值） ±20V
- 连续放电电流(ID) 115mA
- 阈值电压 1V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 漏源击穿电压 60V
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 栅源电压 2.5 V
- 反馈上限-最大值 (Crss) 5 pF
- 高度 1.11mm
- 长度 3.04mm
- 宽度 1.4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价