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MOSFETs 晶体管阵列 / 2N7002DW-7-F
- Diodes Incorporated
- MOSFETs 晶体管阵列
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
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产品参数
- 工厂交货时间 20 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数 6
- 质量 6.010099mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 230mA
- 2
- 11 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2007
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- 终端 SMD/SMT
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 7.5Ohm
- 附加功能 HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流 60V
- 最大功率耗散 200mW
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 115mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 引脚数量 6
- 通道数量 2
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 200mW
- 接通延迟时间 7 ns
- 功率 - 最大 310mW
- 场效应管类型 2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 Ω @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 25V
- 连续放电电流(ID) 115mA
- 阈值电压 2V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.115A
- 漏源击穿电压 70V
- 双电源电压 60V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性 Standard
- 栅源电压 2 V
- 反馈上限-最大值 (Crss) 5 pF
- 高度 1mm
- 长度 2.2mm
- 宽度 1.35mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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