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MOSFETs 晶体管阵列 / FDS4559
- onsemi(安森美)
- MOSFETs 晶体管阵列
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- ON SEMICONDUCTOR - FDS4559 - DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 8 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数 8
- 质量 187mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 4.5A 3.5A
- 2
- 19 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 PowerTrench®
- 已出版 2002
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 8
- 终端 SMD/SMT
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 55MOhm
- 最大功率耗散 2W
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 4.5A
- 通道数量 2
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 2W
- 功率 - 最大 1W
- 场效应管类型 N and P-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 55m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 18nC @ 10V
- 上升时间 10ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值） 12 ns
- 连续放电电流(ID) 4.5A
- 阈值电压 2.2V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 漏源击穿电压 60V
- 双电源电压 60V
- 雪崩能量等级（Eas） 90 mJ
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj） 175°C
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 栅源电压 2.2 V
- 高度 1.75mm
- 长度 5mm
- 宽度 4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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