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MOSFETs 晶体管阵列 / FDC3601N
- onsemi(安森美)
- MOSFETs 晶体管阵列
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 5 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数 6
- 质量 36mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 2
- 11 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 PowerTrench®
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 500MOhm
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流 100V
- 最大功率耗散 960mW
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 1A
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 960mW
- 接通延迟时间 8 ns
- 功率 - 最大 700mW
- 场效应管类型 2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 500m Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 153pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 5nC @ 10V
- 上升时间 4ns
- 下降时间（典型值） 4 ns
- 连续放电电流(ID) 1A
- 阈值电压 2.6V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 1A
- 漏源击穿电压 100V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性 Standard
- 高度 1mm
- 长度 3mm
- 宽度 1.7mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
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