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MOSFETs 晶体管阵列 / NTMD6N02R2G
- onsemi(安森美)
- MOSFETs 晶体管阵列
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET NFET 20V 0.035R TR
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 45 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 表面安装 YES
- 引脚数 8
- 晶体管元件材料 SILICON
- 3.92A
- 2
- 45 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2004
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 8
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 35MOhm
- 附加功能 逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流 20V
- 最大功率耗散 2W
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 NTMD6N02
- 引脚数量 8
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 2W
- 接通延迟时间 12 ns
- 功率 - 最大 730mW
- 场效应管类型 2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 35m Ω @ 6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 1100pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 20nC @ 4.5V
- 上升时间 50ns
- 下降时间（典型值） 80 ns
- 连续放电电流(ID) 6.5A
- 栅极至源极电压(Vgs) 12V
- 漏源击穿电压 20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM) 30A
- 雪崩能量等级（Eas） 360 mJ
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 栅源电压 900 mV
- 高度 1.5mm
- 长度 5mm
- 宽度 4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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