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MOSFETs 晶体管阵列 / NTJD4152PT2G
- onsemi(安森美)
- MOSFETs 晶体管阵列
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
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产品参数
- 工厂交货时间 11 Weeks
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装 YES
- 晶体管元件材料 SILICON
- 2
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2015
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 最大功率耗散 272mW
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 未说明
- JESD-30代码 R-PDSO-G6
- 配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率 - 最大 272mW
- 场效应管类型 2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 260m Ω @ 880mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 155pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 2.2nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- 连续放电电流(ID) 880mA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.88A
- 漏极-源极导通最大电阻 0.26Ohm
- DS 击穿电压-最小值 20V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性 Standard
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
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