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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7341TRPBF
- Infineon Technologies
- MOSFETs 晶体管阵列
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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产品参数
- 工厂交货时间 12 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数 8
- 晶体管元件材料 SILICON
- 2
- 32 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 HEXFET®
- 已出版 2004
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 8
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 50mOhm
- 附加功能 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
- 电压 - 额定直流 55V
- 最大功率耗散 2W
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 4.7A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- 基本部件号 IRF7341PBF
- 行间距 6.3 mm
- 通道数量 2
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 2W
- 接通延迟时间 8.3 ns
- 场效应管类型 2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 50m Ω @ 4.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 36nC @ 10V
- 上升时间 3.2ns
- 下降时间（典型值） 13 ns
- 连续放电电流(ID) 4.7A
- 阈值电压 1V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.1A
- 漏源击穿电压 55V
- 双电源电压 55V
- 雪崩能量等级（Eas） 140 mJ
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 恢复时间 90 ns
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 栅源电压 1 V
- 高度 1.75mm
- 长度 4.9784mm
- 宽度 3.9878mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 Contains Lead, Lead Free
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