低至 ￥9.18104
MOSFETs 晶体管阵列 / FDD8424H
- onsemi(安森美)
- MOSFETs 晶体管阵列
- TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 17 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 引脚数 5
- 质量 260.37mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 9A 6.5A
- 2
- 20 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 PowerTrench®
- 已出版 2014
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 4
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 24MOhm
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 最大功率耗散 3.1W
- 端子位置 SINGLE
- 终端形式 鸥翼
- 基本部件号 FDD8424
- JESD-30代码 R-PSSO-G4
- 通道数量 2
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 3.1W
- 箱体转运 DRAIN
- 接通延迟时间 7 ns
- 功率 - 最大 1.3W
- 场效应管类型 N and P-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs 24m Ω @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 1000pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs 20nC @ 10V
- 上升时间 3ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值） 3 ns
- 连续放电电流(ID) 9A
- 阈值电压 1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 9A
- 漏源击穿电压 40V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 高度 2.517mm
- 长度 6.73mm
- 宽度 6.22mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价