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单相BJT晶体管 / MMBT4403LT1G
- onsemi(安森美)
- 单相BJT晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
- 工厂交货时间 10 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 晶体管元件材料 SILICON
- 40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage -750mV
- 1
- 30
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2007
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电压 - 额定直流 -40V
- 最大功率耗散 300mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 -600mA
- 频率 200MHz
- 基本部件号 MMBT4403
- 引脚数量 3
- 元素配置 Single
- 功率耗散 300mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 增益带宽积 200MHz
- 极性/通道类型 PNP
- 晶体管类型 PNP
- 集电极发射器电压(VCEO) 40V
- 最大集电极电流 600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 100 @ 150mA 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 750mV @ 50mA, 500mA
- 转换频率 200MHz
- 最大击穿电压 40V
- 集电极基极电压(VCBO) 40V
- 发射极基极电压 (VEBO) 5V
- 关断时间-最大值（toff) 255ns
- 集电极-基极电容-最大值 8.5pF
- 高度 1.01mm
- 长度 3.04mm
- 宽度 1.4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
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