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单相BJT晶体管 / MMBT3906LT1G

  • onsemi(安森美)
  • 单相BJT晶体管
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
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产品参数

  • 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
  • 工厂交货时间 10 Weeks
  • 触点镀层 Tin
  • 安装类型 表面贴装
  • 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 表面安装 YES
  • 引脚数 3
  • 晶体管元件材料 SILICON
  • -40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage -250mV
  • 200mA
  • 1
  • 30
  • 操作温度 -55°C~150°C TJ
  • 包装 Tape & Reel (TR)
  • 已出版 2004
  • JESD-609代码 e3
  • 无铅代码 yes
  • 零件状态 活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
  • 终止次数 3
  • ECCN 代码 EAR99
  • 电压 - 额定直流 -40V
  • 最大功率耗散 300mW
  • 端子位置 DUAL
  • 终端形式 鸥翼
  • 额定电流 -200mA
  • 频率 250MHz
  • 基本部件号 MMBT3906
  • 引脚数量 3
  • 元素配置 Single
  • 功率耗散 225mW
  • 增益带宽积 250MHz
  • 极性/通道类型 PNP
  • 晶体管类型 PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO) -40V
  • 最大集电极电流 -200mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) 400mV @ 5mA, 50mA
  • 转换频率 250MHz
  • 最大击穿电压 40V
  • 集电极基极电压(VCBO) -40V
  • 发射极基极电压 (VEBO) -5V
  • 最大结点温度(Tj) 150°C
  • VCEsat-最大值 0.4 V
  • 接通时间-最大值(ton) 70ns
  • 集电极-基极电容-最大值 4.5pF
  • 高度 1.11mm
  • 长度 2.9mm
  • 宽度 1.3mm
  • 达到SVHC 无SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态 ROHS3 Compliant
  • 无铅 无铅
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