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单相BJT晶体管 / MMBT5551LT1G
- onsemi(安森美)
- 单相BJT晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 质量 4.535924g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV
- 1
- 80
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2006
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电压 - 额定直流 160V
- 最大功率耗散 225mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 600mA
- 基本部件号 MMBT5551
- 引脚数量 3
- 元素配置 Single
- 功率耗散 225mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 晶体管类型 NPN
- 集电极发射器电压(VCEO) 160V
- 最大集电极电流 600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流 100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 200mV @ 5mA, 50mA
- 最大击穿电压 160V
- 集电极基极电压(VCBO) 180V
- 发射极基极电压 (VEBO) 6V
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- VCEsat-最大值 0.2 V
- 高度 1.11mm
- 长度 2.9mm
- 宽度 1.3mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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