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BJT 晶体管阵列 / BC857BDW1T1G
- onsemi(安森美)
- BJT 晶体管阵列
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 8 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装 YES
- 引脚数 6
- 晶体管元件材料 SILICON
- 45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage -650mV
- 2
- 220
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Cut Tape (CT)
- 已出版 2005
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 6
- ECCN 代码 EAR99
- 电压 - 额定直流 -45V
- 最大功率耗散 380mW
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 -100mA
- 频率 100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 BC857BD
- 引脚数量 6
- 极性 PNP
- 元素配置 Dual
- 功率耗散 380mW
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 增益带宽积 100MHz
- 晶体管类型 2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO) 45V
- 最大集电极电流 100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流 15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 650mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率 100MHz
- 最大击穿电压 45V
- 集电极基极电压(VCBO) 50V
- 发射极基极电压 (VEBO) 5V
- 高度 900μm
- 长度 2mm
- 宽度 1.25mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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