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BJT 晶体管阵列 / ULN2003ADR
- Texas Instruments
- BJT 晶体管阵列
- 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间 6 Weeks
- 触点镀层 Gold
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数 16
- 质量 141.690917mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 制造商包装标识符 D(R-PDSO-G16)
- 50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 1.1V
- 7
- 操作温度 -20°C~70°C TA
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 系列 Automotive, AEC-Q100
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 16
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Matte Tin (Sn)
- 附加功能 逻辑电平兼容
- HTS代码 8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流 50V
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 500mA
- 基本部件号 ULN2003
- 引脚数量 16
- 输出电压 50V
- 极性 NPN
- 配置 COMPLEX
- 晶体管应用 SWITCHING
- 晶体管类型 7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO) 50V
- 最大集电极电流 500mA
- 最大集极截止电流 50μA
- JEDEC-95代码 MS-012AC
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） 1.6V @ 500μA, 350mA
- VCEsat-最大值 1.6 V
- 高度 1.75mm
- 长度 9.9mm
- 宽度 3.91mm
- 器件厚度 1.58mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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