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RF MOSFETs 晶体管 / PD54008L-E
- TIH Microelectronics(方寸微)
- RF MOSFETs 晶体管
- 8-PowerVDFN
- TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间 12 Weeks
- 底架 表面贴装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 引脚数 8
- 1
- 包装 Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 3 (168 Hours)
- 终止次数 5
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 哑光锡
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -65°C
- 附加功能 HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流 3.1V
- 最大功率耗散 26.7W
- 端子位置 QUAD
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 5A
- 频率 500MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- 基本部件号 PD54008
- 引脚数量 14
- JESD-30代码 S-PQCC-N5
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 26.7W
- 箱体转运 SOURCE
- 测试电流 200mA
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss) 25V
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 晶体管类型 LDMOS
- 连续放电电流(ID) 5A
- 栅极至源极电压(Vgs) 15V
- 最大输出功率 8W
- 最大漏极电流 (Abs) (ID) 5A
- 漏源击穿电压 25V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试 7.5V
- 功率增益 15dB
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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