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RF MOSFETs 晶体管 / PD55003L-E
- TIH Microelectronics(方寸微)
- RF MOSFETs 晶体管
- 8-PowerVDFN
- TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间 11 Weeks
- 底架 表面贴装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 引脚数 8
- 1
- 包装 Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 3 (168 Hours)
- 终止次数 5
- 终端 SMD/SMT
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 哑光锡
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -65°C
- 附加功能 HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流 12V
- 最大功率耗散 14W
- 端子位置 QUAD
- 峰值回流焊温度(摄氏度) 260
- 额定电流 2.5A
- 频率 500MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- 基本部件号 PD55003
- 引脚数量 5
- JESD-30代码 S-PQCC-N5
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 箱体转运 SOURCE
- 测试电流 50mA
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss) 40V
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 晶体管类型 LDMOS
- 连续放电电流(ID) 2.5A
- 栅极至源极电压(Vgs) 15V
- 增益 19dB
- 最大输出功率 3W
- 双电源电压 40V
- 输入电容 34pF
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 栅源电压 5 V
- 电压-测试 12.5V
- 高度 880μm
- 长度 5mm
- 宽度 5mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅