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RF MOSFETs 晶体管 / MMBFJ309LT1G

  • onsemi(安森美)
  • RF MOSFETs 晶体管
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
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产品参数

  • 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
  • 工厂交货时间 8 Weeks
  • 触点镀层 Tin
  • 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 表面安装 YES
  • 引脚数 3
  • 质量 1.437803g
  • -25V
  • 1
  • Military grade
  • 包装 Tape & Reel (TR)
  • 已出版 2006
  • JESD-609代码 e3
  • 无铅代码 yes
  • 零件状态 活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
  • 终止次数 3
  • ECCN 代码 EAR99
  • 最高工作温度 150°C
  • 最小工作温度 -55°C
  • 电压 - 额定直流 -25V
  • 端子位置 DUAL
  • 终端形式 鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度) 260
  • 额定电流 30mA
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
  • 基本部件号 MMBFJ309
  • 引脚数量 3
  • 元素配置 Single
  • 操作模式 DEPLETION MODE
  • 功率耗散 225mW
  • 晶体管应用 AMPLIFIER
  • 无卤素 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss) 25V
  • 晶体管类型 N-Channel JFET
  • 连续放电电流(ID) 10mA
  • 栅极至源极电压(Vgs) 25V
  • 输入电容 5pF
  • 场效应管技术 JUNCTION
  • 最高频段 超高频B型
  • 高度 1.016mm
  • 长度 3.0226mm
  • 宽度 1.397mm
  • 达到SVHC 无SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态 ROHS3 Compliant
  • 无铅 无铅
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