低至 ￥64.04265
RF MOSFETs 晶体管 / PD55003-E
- TIH Microelectronics(方寸微)
- RF MOSFETs 晶体管
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间 25 Weeks
- 底架 表面贴装
- 包装/外壳 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- 引脚数 3
- 1
- 包装 Tube
- JESD-609代码 e3
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 3 (168 Hours)
- 终止次数 2
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Matte Tin (Sn) - annealed
- 最高工作温度 165°C
- 最小工作温度 -65°C
- 附加功能 HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流 40V
- 最大功率耗散 31.7W
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 250
- 额定电流 2.5A
- 频率 500MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- 基本部件号 PD55003
- 引脚数量 10
- JESD-30代码 R-PDSO-G2
- 元素配置 Single
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 31.7W
- 箱体转运 SOURCE
- 测试电流 50mA
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss) 40V
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 晶体管类型 LDMOS
- 连续放电电流(ID) 2.5A
- 栅极至源极电压(Vgs) 20V
- 最大输出功率 3W
- 漏源击穿电压 40V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试 12.5V
- 功率增益 17dB
- 高度 3.5mm
- 长度 7.5mm
- 宽度 9.4mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价