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RF BJT 晶体管 / MMBTH81
- onsemi(安森美)
- RF BJT 晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MMBTH81 Series 20 V CE Breakdown .05 A PNP RF Transistor - SOT-23
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间 42 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数 3
- 质量 30mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV
- 1
- 60
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2000
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电压 - 额定直流 -20V
- 最大功率耗散 225mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 -50mA
- 频率 600MHz
- 基本部件号 MMBTH81
- 元素配置 Single
- 功率耗散 225mW
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 增益带宽积 600MHz
- 极性/通道类型 PNP
- 晶体管类型 PNP
- 集电极发射器电压(VCEO) 20V
- 最大集电极电流 50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
- 转换频率 600MHz
- 最大击穿电压 20V
- 集电极基极电压(VCBO) 20V
- 发射极基极电压 (VEBO) 3V
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 连续集电极电流 50mA
- 集电极-基极电容-最大值 0.85pF
- 高度 1.11mm
- 长度 2.92mm
- 宽度 1.3mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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