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专用晶体管 / NUS5530MNR2G
- onsemi(安森美)
- 专用晶体管
- 8-VDFN Exposed Pad
- Integrated Power MOSFET with PNP 8-Pin DFN EP T/R
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间 2 Weeks
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
- 表面安装 YES
- 引脚数 8
- Collector-Emitter Saturation Voltage -100mV
- 1
- 35V PNP 20V P-Channel
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2006
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 8
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 最高工作温度 150°C
- 最小工作温度 -55°C
- 应用 通用型
- 额定电流 2A PNP 3.9A P-Channel
- 最大功率耗散 2.5W
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 3.9A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 NUS5530MN
- 引脚数量 8
- 上升时间-最大值 55ns
- 元素配置 Dual
- 操作模式 增强型MOSFET
- 功率耗散 635mW
- 晶体管应用 SWITCHING
- 无卤素 无卤素
- 晶体管类型 NPN, P-Channel
- 集电极发射器电压(VCEO) 35V
- 最大集电极电流 2A
- 连续放电电流(ID) -3.9A
- 栅极至源极电压(Vgs) -35V
- 最高频率 100MHz
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM) 20A
- DS 击穿电压-最小值 20V
- 场效应管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 集电极基极电压(VCBO) -55V
- 发射极基极电压 (VEBO) -5V
- 最小直流增益（hFE） 100
- 漏源电阻 200Ohm
- VCEsat-最大值 0.3 V
- 最大下降时间 (tf) 70ns
- 高度 950μm
- 长度 3.3mm
- 宽度 3.3mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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