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IGBT晶体管模块 / FF200R12KT4HOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT晶体管模块
- Module
- Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin 62MM
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产品参数
- 工厂交货时间 16 Weeks
- 安装类型 底座安装
- 包装/外壳 Module
- 表面安装 NO
- 引脚数 7
- 320A
- 2
- 操作温度 -40°C~150°C TJ
- 系列 C
- 已出版 2002
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 7
- ECCN 代码 EAR99
- 端子位置 UPPER
- 引脚数量 7
- 极性 NPN
- 配置 半桥
- 元素配置 Dual
- 箱体转运 ISOLATED
- 功率 - 最大 1100W
- 无卤素 不含卤素
- 输入 Standard
- 最大集极截止电流 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
- 接通时间 680 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.15V @ 15V, 200A
- 关断时间-标准值（toff) 700 ns
- IGBT类型 沟渠现场停车
- NTC热敏电阻 无
- 输入电容(Cies)@Vce 14nF @ 25V
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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