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IGBT晶体管模块 / FPF2C8P2NL07A
- onsemi(安森美)
- IGBT晶体管模块
- F2 Module
- IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
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产品参数
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 底架 通孔
- 安装类型 底座安装
- 包装/外壳 F2 Module
- 质量 45g
- 650V
- 操作温度 -40°C~150°C TJ
- 已出版 2014
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- ECCN 代码 EAR99
- HTS代码 8542.39.00.01
- 最大功率耗散 135W
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 未说明
- 配置 三相
- 功率 - 最大 135W
- 输入 Standard
- 集电极发射器电压(VCEO) 2.2V
- 最大集电极电流 30A
- 最大集极截止电流 250μA
- 隔离电压 2.5kV
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.2V @ 15V, 30A
- IGBT类型 场站
- NTC热敏电阻 有
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
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