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单片IGBT晶体管 / FGH60N60SMD
- onsemi(安森美)
- 单片IGBT晶体管
- TO-247-3
- IGBT 600V 120A 600W TO247
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间 5 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-247-3
- 引脚数 3
- 质量 6.39g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9V
- 1
- 400V, 60A, 3 Ω, 15V
- 146 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tube
- 已出版 2013
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 附加功能 低导通损耗
- HTS代码 8541.29.00.95
- 最大功率耗散 600W
- 基本部件号 FGH60N60
- 上升时间-最大值 70ns
- 元素配置 Single
- 箱体转运 COLLECTOR
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 27 ns
- 功率 - 最大 600W
- 晶体管应用 电源控制
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 600V
- 最大集电极电流 120A
- 反向恢复时间 39 ns
- JEDEC-95代码 TO-247AB
- 接通时间 59 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.5V @ 15V, 60A
- 关断时间-标准值（toff) 163 ns
- IGBT类型 场站
- 闸门收费 189nC
- 集极脉冲电流（Icm） 180A
- Td（开/关）@25°C 18ns/104ns
- 开关能量 1.26mJ (on), 450μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值 20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值 6V
- 最大下降时间 (tf) 68ns
- 高度 20.6mm
- 长度 15.6mm
- 宽度 4.7mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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