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单片IGBT晶体管 / IRGP50B60PDPBF
- Infineon Technologies
- 单片IGBT晶体管
- TO-247-3
- IGBT 600V 75A 370W TO247AC
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产品参数
- 工厂交货时间 14 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-247-3
- 引脚数 3
- 质量 38.000013g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 2V
- 1
- 390V, 33A, 3.3 Ω, 15V
- 140 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Bulk
- 已出版 2004
- 零件状态 最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 附加功能 HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
- 电压 - 额定直流 600V
- 最大功率耗散 370W
- 额定电流 75A
- 元素配置 Single
- 功率耗散 370W
- 箱体转运 COLLECTOR
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 33 ns
- 晶体管应用 电源控制
- 上升时间 26ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 600V
- 最大集电极电流 75A
- 反向恢复时间 50 ns
- JEDEC-95代码 TO-247AC
- 接通时间 59 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.6V @ 15V, 50A
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 连续集电极电流 75A
- 关断时间-标准值（toff) 190 ns
- IGBT类型 NPT
- 闸门收费 240nC
- 集极脉冲电流（Icm） 150A
- Td（开/关）@25°C 34ns/130ns
- 开关能量 360μJ (on), 380μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值 20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值 5V
- 最大下降时间 (tf) 65ns
- 高度 24.99mm
- 长度 15.87mm
- 宽度 5.3086mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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