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单片IGBT晶体管 / IRG4PH50SPBF
- Infineon Technologies
- 单片IGBT晶体管
- TO-247-3
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
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产品参数
- 工厂交货时间 14 Weeks
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-247-3
- 引脚数 3
- 质量 38.000013g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75V
- 1
- 960V, 33A, 5 Ω, 15V
- 845 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Bulk
- 已出版 2004
- 零件状态 最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- 终端 通孔
- ECCN 代码 EAR99
- 电压 - 额定直流 1.2kV
- 最大功率耗散 200W
- 额定电流 57A
- 元素配置 Single
- 功率耗散 200W
- 箱体转运 COLLECTOR
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 32 ns
- 晶体管应用 电源控制
- 上升时间 29ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 1.2kV
- 最大集电极电流 57A
- 连续放电电流(ID) 57A
- JEDEC-95代码 TO-247AC
- 栅极至源极电压(Vgs) 30V
- 电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
- 输入电容 3.6nF
- 接通时间 62 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 1.7V @ 15V, 33A
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 连续集电极电流 57A
- 关断时间-标准值（toff) 2170 ns
- 闸门收费 167nC
- 集极脉冲电流（Icm） 114A
- Td（开/关）@25°C 32ns/845ns
- 开关能量 1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
- 高度 24.99mm
- 长度 15.875mm
- 宽度 5.3mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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