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单片IGBT晶体管 / FGH40T120SMD-F155
- onsemi(安森美)
- 单片IGBT晶体管
- TO-247-3
- IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间 5 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-247-3
- 引脚数 3
- 质量 6.39g
- 1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8V
- 600V, 40A, 10 Ω, 15V
- 475 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tube
- 已出版 2013
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 最大功率耗散 555W
- 元素配置 Single
- 功率耗散 555W
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 40 ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 1.2kV
- 最大集电极电流 80A
- 反向恢复时间 65 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.4V @ 15V, 40A
- 最大结点温度（Tj） 175°C
- 连续集电极电流 80A
- IGBT类型 沟渠现场停车
- 闸门收费 370nC
- 集极脉冲电流（Icm） 160A
- Td（开/关）@25°C 40ns/475ns
- 开关能量 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值 25V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值 7.5V
- 高度 24.75mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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