低至 ￥38.18587
单片IGBT晶体管 / FGA60N65SMD
- onsemi(安森美)
- 单片IGBT晶体管
- TO-3P-3, SC-65-3
- In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
限时好价
售后无忧
48小时发货
产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间 7 Weeks
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
- 引脚数 3
- 质量 6.401g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9V
- 1
- 400V, 60A, 3 Ω, 15V
- 104 ns
- 操作温度 -55°C~175°C TJ
- 包装 Tube
- 已出版 2008
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 附加功能 低导通损耗
- HTS代码 8541.29.00.95
- 最大功率耗散 600W
- 上升时间-最大值 70ns
- 元素配置 Single
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 18 ns
- 功率 - 最大 600W
- 晶体管应用 电源控制
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 650V
- 最大集电极电流 120A
- 反向恢复时间 47 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.5V @ 15V, 60A
- IGBT类型 场站
- 闸门收费 189nC
- 集极脉冲电流（Icm） 180A
- Td（开/关）@25°C 18ns/104ns
- 开关能量 1.54mJ (on), 450μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值 20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值 6V
- 最大下降时间 (tf) 68ns
- 高度 20.1mm
- 长度 15.8mm
- 宽度 5mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
问答
暂时没有该产品的提问，您想知道什么？ 联系客服
猜你·喜欢
- 我是有底线的 -
询价