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单片IGBT晶体管 / FGL40N120ANDTU
- onsemi(安森美)
- 单片IGBT晶体管
- TO-264-3, TO-264AA
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 底架 通孔
- 安装类型 通孔
- 包装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
- 引脚数 3
- 质量 6.756g
- 晶体管元件材料 SILICON
- 1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage 3.15V
- 1
- 600V, 40A, 5 Ω, 15V
- 110 ns
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tube
- 已出版 2008
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- HTS代码 8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流 1.2kV
- 最大功率耗散 500W
- 额定电流 64A
- 元素配置 Single
- 功率耗散 500W
- 输入类型 Standard
- 接通延迟时间 15 ns
- 晶体管应用 电源控制
- 上升时间 20ns
- 极性/通道类型 N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO) 1.2kV
- 最大集电极电流 64A
- 反向恢复时间 112 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
- 接通时间 45 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 3.2V @ 15V, 40A
- 最大结点温度（Tj） 150°C
- 连续集电极电流 64A
- 关断时间-标准值（toff) 165 ns
- IGBT类型 NPT
- 闸门收费 220nC
- 集极脉冲电流（Icm） 160A
- Td（开/关）@25°C 15ns/110ns
- 开关能量 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
- 高度 29mm
- 长度 20mm
- 宽度 5mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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