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JFETs 晶体管 / MMBF4393LT1G
- onsemi(安森美)
- JFETs 晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- 工厂交货时间 8 Weeks
- 触点镀层 Tin
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装 YES
- 引脚数 3
- 质量 1.437803g
- 晶体管元件材料 SILICON
- -30V
- 1
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2000
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 电阻 100Ohm
- HTS代码 8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流 30V
- 最大功率耗散 225mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 额定电流 50mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 40
- 基本部件号 MBF4393
- 引脚数量 3
- 元素配置 Single
- 操作模式 DEPLETION MODE
- 功率耗散 225mW
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 SWITCHING
- 无卤素 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds 14pF @ 15V
- 连续放电电流(ID) 1μA
- 栅极至源极电压(Vgs) 30V
- 漏源击穿电压 30V
- 场效应管技术 JUNCTION
- 漏源电阻 100Ohm
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 500mV @ 10nA
- 电阻-RDS(On) 100Ohm
- 高度 1.016mm
- 长度 3.0226mm
- 宽度 1.397mm
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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