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JFETs 晶体管 / MMBFJ202
- onsemi(安森美)
- JFETs 晶体管
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- JFET N-CH 40V 350MW SOT23
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间 16 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数 3
- 质量 30mg
- 晶体管元件材料 SILICON
- 40V
- 1
- 操作温度 -55°C~150°C TJ
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2008
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 3
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- HTS代码 8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流 40V
- 最大功率耗散 350mW
- 端子位置 DUAL
- 终端形式 鸥翼
- 额定电流 50mA
- 基本部件号 MBFJ202
- 元素配置 Single
- 操作模式 DEPLETION MODE
- 功率耗散 350mW
- 场效应管类型 N-Channel
- 晶体管应用 AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss) 40V
- 连续放电电流(ID) 5.4mA
- 栅极至源极电压(Vgs) -40V
- 场效应管技术 JUNCTION
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0) 900μA @ 20V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 800mV @ 10nA
- 达到SVHC 无SVHC
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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