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光电晶体管 / QSB363ZR
- onsemi(安森美)
- 光电晶体管
- 2-SMD, Z-Bend
- QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
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产品参数
- 生命周期状态 ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间 4 Weeks
- 底架 表面贴装
- 安装类型 表面贴装
- 包装/外壳 2-SMD, Z-Bend
- 引脚数 2
- 质量 90mg
- 形状 ROUND
- 30V
- 操作温度 -40°C~85°C TA
- 包装 Tape & Reel (TR)
- 已出版 2013
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 活跃
- 湿度敏感性等级(MSL) 3 (168 Hours)
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 Tin (Sn)
- 附加功能 日光滤镜
- 最大功率耗散 75mW
- 方向 顶视图
- 功能数量 1
- 工作电源电压 5V
- 极性 NPN
- 配置 SINGLE
- 通道数量 1
- 功率耗散 75mW
- 视角 24°
- 输出功率 75mW
- 光电子器件类型 光电三极管
- 镜头风格 Domed
- 上升时间 15μs
- 下降时间（典型值） 15 μs
- 集电极发射器电压(VCEO) 30V
- 最大集电极电流 2mA
- 波长 - 峰值 940 nm
- 镜头颜色 Black, Clear
- 消耗功率 75mW
- 最大击穿电压 30V
- 暗电流 100nA
- 红外线范围 YES
- 轻型电流-Nom 1.5mA
- 高度 3mm
- 长度 2.7mm
- 宽度 2.2mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
- 无铅 无铅
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