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内存模块 / MT4HTF6464HZ-667H1
- Micron Technology Inc.
- 内存模块
- 200-SODIMM
- MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
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售后无忧
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产品参数
- 底架 Socket
- 包装/外壳 200-SODIMM
- 引脚数 200
- DDR2 SDRAM
- 4
- 已出版 2010
- JESD-609代码 e3
- 无铅代码 yes
- 零件状态 Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL) 1 (Unlimited)
- 终止次数 200
- ECCN 代码 EAR99
- 端子表面处理 哑光锡
- 最高工作温度 70°C
- 最小工作温度 0°C
- 附加功能 WD-MAX
- 端子位置 ZIG-ZAG
- 峰值回流焊温度（摄氏度） 260
- 功能数量 1
- 电源电压 1.8V
- 端子间距 0.6mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s) 30
- 引脚数量 200
- 工作电源电压 1.8V
- 温度等级 INDUSTRIAL
- 最大电源电压 1.9V
- 最小电源电压 1.7V
- 内存大小 512MB
- 端口的数量 1
- 速度 667MT/s
- 时钟频率 333MHz
- 访问时间 900 ns
- 数据总线宽度 64b
- 输出特性 3-STATE
- 内存宽度 64
- 待机电流-最大值 0.028A
- 最高频率 667MHz
- I/O类型 COMMON
- 刷新周期 8192
- 长度 67.6mm
- 座位高度(最大) 30.15mm
- 辐射硬化 无
- RoHS状态 ROHS3 Compliant
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