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存储器 / IS42S16100C1-7T

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 存储器
  • 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
  • IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
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产品参数

  • 底架 表面贴装
  • 安装类型 表面贴装
  • 包装/外壳 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
  • 引脚数 50
  • Volatile
  • Current - Supply (Nom) 130mA
  • 操作温度 0°C~70°C TA
  • 包装 Tray
  • JESD-609代码 e0
  • 零件状态 Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL) 2 (1 Year)
  • 终止次数 50
  • ECCN 代码 EAR99
  • 端子表面处理 Tin/Lead (Sn/Pb)
  • 附加功能 AUTO/SELF REFRESH
  • HTS代码 8542.32.00.02
  • 电压 - 供电 3.3V
  • 端子位置 DUAL
  • 峰值回流焊温度(摄氏度) 未说明
  • 功能数量 1
  • 端子间距 0.8mm
  • Reach合规守则 not_compliant
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s) 未说明
  • 资历状况 不合格
  • 内存大小 16Mb 1M x 16
  • 端口的数量 1
  • 操作模式 SYNCHRONOUS
  • 时钟频率 143MHz
  • 访问时间 5.5ns
  • 内存格式 DRAM
  • 内存接口 Parallel
  • 数据总线宽度 16b
  • 组织结构 1MX16
  • 输出特性 3-STATE
  • 内存宽度 16
  • 地址总线宽度 12b
  • 密度 16 Mb
  • 待机电流-最大值 0.002A
  • I/O类型 COMMON
  • 电压 - 供电 (最大值) 3.6V
  • 电压 - 供电 (最小值) 3V
  • 刷新周期 4096
  • 顺序突发长度 1248FP
  • 交错突发长度 1248
  • 长度 20.95mm
  • 座位高度(最大) 1.2mm
  • RoHS状态 Non-RoHS Compliant
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